IC元器件

CSD19536KTTT

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD19536KTTT 供应商

CSD19536KTTT 属性参数

  • 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
  • 价格：1 : ￥45.79000剪切带（CT）50 : ￥38.88780卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.4 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：153 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：12000 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3
  • 封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

产品概述

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
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CSD19536KTTT 电路图

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