CSD19535KTTT 供应商
-
CSD19535KTTT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD19535KTTT 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥30.85000剪切带（CT）50 : ￥26.22200卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：200A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.4 毫欧 @ 100A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：98 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7930 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：300W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3
- 封装/外壳：TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
产品概述
这款 100V、2.8mΩ D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。 ™
CSD19535KTTT 电路图
