IC元器件

CSD19533Q5A

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD19533Q5A 供应商

CSD19533Q5A 属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥11.77000剪切带（CT）2,500 : ￥5.36618卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.4 毫欧 @ 13A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：35 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2670 pF @ 50 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），96W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-VSONP（5x6）
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
  • 初级侧电信应用
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

产品概述

这款 100V，7.8mΩ，SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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CSD19533Q5A 数据手册

CSD19533Q5A 电路图

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