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CSD19533KCS 供应商

CSD19533KCS 属性参数

  • 现有数量:0现货10,000Factory查看交期
  • 价格:1 : ¥13.28000管件
  • 系列:NexFET?
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10.5 毫欧 @ 55A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2670 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):188W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220-3
  • 封装/外壳:TO-220-3

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

产品概述

这款 100V,8.7mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

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