CSD19532Q5BT 供应商
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CSD19532Q5BT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD19532Q5BT
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
CSD19532Q5BT 属性参数
- 现有数量：0现货查看交期
- 价格：1 : ￥21.39000剪切带（CT）250 : ￥14.91340卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.9 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4810 pF @ 50 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），195W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5mm × 6mm 塑料封装
产品概述
这款 100V、4mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD19532Q5BT 电路图
