IC元器件

CSD19502Q5B

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD19502Q5B 供应商

CSD19502Q5B 属性参数

  • 现有数量：19,357现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥20.11000剪切带（CT）2,500 : ￥10.21960卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：80 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 19A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4870 pF @ 40 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），195W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（5x6）
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

产品概述

这款 3.4mΩ，80V，SON 5mm x 6mm NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
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CSD19502Q5B 电路图

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