CSD18534Q5A 供应商
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CSD18534Q5A 原装现货
品牌:TI 封装/批号:8SON/2012 -
CSD18534Q5A
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
CSD18534Q5A
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:VSONP8/24+ -
CSD18534Q5A
品牌:CSD18534Q5A 封装/批号:TI/连可连代销V -
CSD18534Q5A
品牌:TI 封装/批号:/2021+
CSD18534Q5A 属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥8.11000剪切带(CT)2,500 : ¥3.69670卷带(TR)
- 系列:NexFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Ta),50A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):9.8 毫欧 @ 14A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):22 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1770 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),77W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSONP(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
产品概述
此 7.8mΩ、60V、SON 5 × 6mm
NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。
CSD18534Q5A 电路图
