CSD18533Q5AT 供应商
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CSD18533Q5AT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+
CSD18533Q5AT 属性参数
- 现有数量：431现货5,500Factory
- 价格：1 : ￥12.24000剪切带（CT）250 : ￥8.29968卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：17A（Ta），100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：5.9 毫欧 @ 18A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：36 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2750 pF @ 30 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），116W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 直流 - 直流转换
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
产品概述
这款 4.7mΩ、60V、SON 5mm × 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
CSD18533Q5AT 电路图
