IC元器件

CSD18511KTT

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD18511KTT 供应商

CSD18511KTT 属性参数

  • 现有数量：0现货10,000Factory查看交期
  • 价格：1 : ￥13.04000剪切带（CT）500 : ￥7.86054卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：194A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：64 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5940 pF @ 20 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：188W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：DDPAK/TO-263-3
  • 封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

产品特性

  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(ON)
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • D2PAK Plastic Package

产品概述

This 40-V, 2.1-mΩ, D2PAK (TO-263) NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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CSD18511KTT 电路图

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