CSD18502Q5B 供应商
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CSD18502Q5B
品牌:TI 封装/批号:原厂原装/22+ -
CSD18502Q5B
品牌:TI 封装/批号:/2021+ -
CSD18502Q5B
品牌:TI 封装/批号:TSSOP/23+ -
CSD18502Q5BT
品牌:TI(德州仪器) 封装/批号:VSON-CLIP-8/2022+
CSD18502Q5B 属性参数
- 现有数量:8,485现货10,000Factory
- 价格:1 : ¥19.80000剪切带(CT)2,500 : ¥10.07889卷带(TR)
- 系列:NexFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A(Ta),100A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.3 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):68 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5070 pF @ 20 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),156W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-VSON-CLIP(5x6)
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
产品概述
此 40V、1.8mΩ、5mm × 6mmNexFET™功率 MOSFET
被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD18502Q5B 电路图
