CSD17581Q3AT 供应商
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CSD17581Q3AT
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD17581Q3AT
品牌：TI(德州仪器) 封装/批号：VSONP-8/2022+
CSD17581Q3AT 属性参数
- 现有数量：2,127现货
- 价格：1 : ￥7.31000剪切带（CT）250 : ￥4.78648卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.8 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：54 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3640 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），63W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（3x3.3）
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
产品特性
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(on)
- 低热阻抗
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
- 用于网络互联、电信和计算系统的 负载点 同步降压转换器
- 电机控制 应用
- 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了 优化
产品概述
这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
CSD17581Q3AT 电路图
