IC元器件

CSD17575Q3

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD17575Q3 供应商

CSD17575Q3 属性参数

  • 现有数量：79,398现货10,000Factory
  • 价格：1 : ￥8.51000剪切带（CT）2,500 : ￥3.86365卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：60A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：2.3 毫欧 @ 25A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4420 pF @ 15 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），108W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN

产品特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
  • 用于网络互联，电信和计算系统的负载点同步降压转换器
  • 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化

产品概述

这款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
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CSD17575Q3 数据手册

CSD17575Q3 电路图

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