CSD17552Q3A 供应商
-
CSD17552Q3A
品牌:TI 封装/批号:VSONP-8/2237+5 -
CSD17552Q3A
品牌:TI 封装/批号:VSONP-8/24+ -
CSD17552Q3A
品牌:TI/德州仪器 封装/批号:VSON8/21+ -
CSD17552Q3A
品牌:TI 封装/批号:SON8/22+授权代理 -
CSD17552Q3A
品牌:TI(德州仪器) 封装/批号:VSONP-8/2022+ -
CSD17552Q3A
品牌: 封装/批号:/23+
CSD17552Q3A 属性参数
- 现有数量:0现货10,000Factory查看交期
- 价格:1 : ¥7.31000剪切带(CT)2,500 : ¥3.32704卷带(TR)
- 系列:NexFET?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A(Ta),60A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 毫欧 @ 11A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):12 nC @ 4.5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2050 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2.6W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SON(3.3x3.3)
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
产品概述
这款 30V 5.5mΩ 3.3mm × 3.3mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。空白空白空白