CSD16556Q5B 供应商
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CSD16556Q5B
品牌：TI 封装/批号：原厂原装/22+ -
CSD16556Q5B
品牌： 封装/批号：TSSOP/23+
CSD16556Q5B 属性参数
- 现有数量：2,500现货10,000Factory
- 价格：1 : ￥17.57000剪切带（CT）2,500 : ￥8.94364卷带（TR）
- 系列：NexFET?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.07 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.7V @ 250μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：47 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6180 pF @ 15 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），191W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：8-VSONP（5x6）
- 封装/外壳：8-PowerTDFN
产品特性
- 超低电阻
- 超低 Qg和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化
产品概述
这款 25V、0.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 设计用于大大降低同步整流和其它功率转换应用中的损耗。
CSD16556Q5B 电路图
