IC元器件

CSD13202Q2

Texas Instruments 单 FET，MOSFET

CSD13202Q2 供应商

CSD13202Q2 属性参数

  • 现有数量：18,793现货9,000Factory
  • 价格：1 : ￥4.45000剪切带（CT）3,000 : ￥1.56494卷带（TR）
  • 系列：NexFET?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：12 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：22A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：9.3 毫欧 @ 5A，4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）：±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：997 pF @ 6 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.7W（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：6-WSON（2x2）
  • 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘

产品特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

产品概述

此 12V、7.5mΩ NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换和负载管理 应用中的损耗。该 SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。
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CSD13202Q2 电路图

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