IC元器件

CPH6424-TL-E

MOSFET 晶体管

CPH6424-TL-E 供应商

CPH6424-TL-E 属性参数

  • 典型关断延迟时间：33 ns
  • 典型接通延迟时间：8 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs：7.8 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds：266 pF V @ 20
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.6mm
  • 封装类型：CPH 6
  • 尺寸：2.9 x 1.6 x 0.9mm
  • 引脚数目：6
  • 最大功率耗散：1.6 W
  • 最大栅源电压：±20 V
  • 最大漏源电压：60 V
  • 最大漏源电阻值：215 m
  • 最大连续漏极电流：3 A
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 每片芯片元件数目：1
  • 类别：开关
  • 通道模式：增强
  • 通道类型：N
  • 配置：四漏极、单
  • 长度：2.9mm
  • 高度：0.9mm

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