IC元器件

C2M0080120D

单 FET，MOSFET

C2M0080120D 供应商

C2M0080120D 属性参数

  • 现有数量：0现货
  • 价格：1 : ￥191.75000散装
  • 系列：C2M?
  • 包装：散装
  • 产品状态：不适用于新设计
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）：1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：36A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：98 毫欧 @ 20A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：62 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：+25V，-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：950 pF @ 1000 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：192W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247-3
  • 封装/外壳：TO-247-3

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