BSZ165N04NSG 供应商
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BSZ165N04NSG
品牌：Infineon 封装/批号：原厂原封装/新批号
BSZ165N04NSG 属性参数
- 数据列表：BSZ165N04NSG
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16.5 毫欧 @ 20A, 10V
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31A
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 10µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
- 在 Vds 时的输入电容(Ciss)：840pF @ 20V
- 功率 - 最大：25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSDSON
- 供应商设备封装：PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
- 包装：剪切带 (CT)
- 其它名称：BSZ165N04NSGINCT