IC元器件

BSZ100N03LSG

参考价格:$0.2595-$0.7100

分离式半导体产品

BSZ100N03LSG 供应商

BSZ100N03LSG 属性参数

  • 数据列表:BSZ100N03LS G
  • 标准包装:1
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单路
  • 系列:OptiMOS™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10 毫欧 @ 20A, 10V
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
  • 在 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 15V
  • 功率 - 最大:30W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装:PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)
  • 包装:剪切带 (CT)
  • 其它名称:BSZ100N03LSGINCT