BSS670S2LH6327XTSA1 供应商
-
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INFINEON 封装/批号:U SOTInfineon/22+ -
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INFINEON 封装/批号:PG-SOT23-3-5/23+ -
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INF 封装/批号:原厂原封装/新批号 -
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:MOSFET 封装/批号:Infineon/连可连代销V -
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:Infineon 封装/批号:/2021+ -
BSS670S2LH6327XTSA1
品牌:INFINEON 封装/批号:TSSOP/23+
BSS670S2LH6327XTSA1 属性参数
- 现有数量:0现货查看交期
- 价格:1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥0.67280卷带(TR)
- 系列:OptiMOS?
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):540mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):650 毫欧 @ 270mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 2.7μA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):2.26 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):75 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):360mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-SOT23
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3