IC元器件

BSS126H6327XTSA2

单 FET，MOSFET

BSS126H6327XTSA2 供应商

BSS126H6327XTSA2 属性参数

  • 现有数量：0现货查看交期
  • 价格：1 : ￥4.21000剪切带（CT）3,000 : ￥1.49310卷带（TR）
  • 系列：SIPMOS?
  • 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：500 欧姆 @ 16mA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 8μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：2.1 nC @ 5 V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：28 pF @ 25 V
  • FET 功能：耗尽模式
  • 功率耗散（最大值）：500mW（Ta）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 供应商器件封装：PG-SOT23
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

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