BSP299H6327XUSA1 供应商
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BSP299H6327XUSA1
品牌：Infineon 封装/批号：原厂原封装/新批号
BSP299H6327XUSA1 属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：SIPMOS?
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：400mA（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：400 pF @ 25 V
- FET 功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 供应商器件封装：PG-SOT223-4
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA