BSM50GD60DLCE3226 供应商
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BSM50GD60DLCE3226
品牌：N/A 封装/批号：IGBT/08+
BSM50GD60DLCE3226 属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品：IGBT Silicon Modules
- 配置：Hex
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 集电极—射极饱和电压：2.2 V
- 在25 C的连续集电极电流：70 A
- 栅极—射极漏泄电流：400 nA
- 功率耗散：250 W
- 最大工作温度：+ 125 C
- 封装 / 箱体：EconoPACK 2A
- 封装：Reel
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最小工作温度：- 40 C
- 安装风格：Screw