BSM200GA170DN2S 供应商
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BSM200GA170DN2S
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:Infineon/英飞凌 封装/批号:全新原装/23+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:infineon 封装/批号:标准封装/24+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:EUPEC 封装/批号:IGBT/22+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:infineon 封装/批号:模块/NEW -
BSM200GA170DN2S
品牌:英飞凌 封装/批号:标准封装/22+ -
BSM200GA170DN2S
品牌:infineon 封装/批号:模块/NEW -
BSM200GA170DN2S
品牌:Infineon 封装/批号:标准/-/NEW
BSM200GA170DN2S 属性参数
- 制造商:Infineon
- 产品:IGBT Silicon Modules
- 配置:Single Dual Emitter
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V
- 在25 C的连续集电极电流:290 A
- 最大工作温度:+ 150 C
- 封装 / 箱体:62MM
- 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
- 最小工作温度:- 40 C
- 安装风格:Screw
- 工厂包装数量:10