IC元器件

BSM180D12P2C101

FET、MOSFET 阵列

BSM180D12P2C101 供应商

BSM180D12P2C101 属性参数

  • 现有数量：1现货
  • 价格：1 : ￥4,191.51000散装
  • 系列：-
  • 包装：散装
  • 产品状态：在售
  • 技术：碳化硅（SiC）
  • 配置：2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能：-
  • 漏源电压（Vdss）：1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：204A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：23000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：1130W
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：-
  • 封装/外壳：模块
  • 供应商器件封装：模块

BSM180D12P2C101 数据手册

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