IC元器件

BSM120D12P2C005

FET、MOSFET 阵列

BSM120D12P2C005 供应商

BSM120D12P2C005 属性参数

  • 现有数量:23现货
  • 价格:1 : ¥3,508.45000散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:碳化硅(SiC)
  • 配置:2 个 N 通道(半桥)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):14000pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:780W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:模块

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