BSC059N03S G 供应商
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BSC059N03S G
品牌：INFINEON/英飞凌 封装/批号：QFN/21+
BSC059N03S G 属性参数
- 制造商：Infineon
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：30 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：17.5 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0055 Ohms
- 配置：Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TDSON
- 封装：Reel
- 下降时间：3.8 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：2.8 W
- 上升时间：4.8 ns
- 工厂包装数量：1
- 典型关闭延迟时间：22 ns
- 零件号别名：BSC059N03SGXT