BFU660F,115 供应商
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BFU660F,115
品牌：NXP Semiconductors 封装/批号：DFP4/21+ -
BFU660F,115
品牌：NXP Semiconductors 封装/批号：22+/22+授权代理
BFU660F,115 属性参数
- 产品培训模块：BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：RF 晶体管 (BJT)
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：5.5V
- 频率 - 转换：21GHz
- 噪声系数（dB典型值@频率）：0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
- 增益：12dB ~ 21dB
- 功率 - 最大：225mW
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：90 @ 10mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：60mA
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-343F
- 供应商设备封装：4-DFP
- 包装：?
- 其它名称：568-8454-6
BFU660F,115