BC848CPDW1T1G 供应商
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BC848CPDW1T1G
品牌：ONS 封装/批号：原厂原封装/新批号
BC848CPDW1T1G 属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN + PNP（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：600mV @ 5mA，100mA
- 电流 - 集电极截止（最大）：-
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：420 @ 2mA，5V
- 功率 - 最大：250mW
- 频率 - 转换：100MHz
- 安装类型：*
- 封装/外壳：*
- 供应商设备封装：*
- 包装：*
- 其它名称：BC848CPDW1T1G-NDBC848CPDW1T1GOSTR