APT35GP120B2DQ2G 供应商
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APT35GP120B2DQ2G
品牌：APT 封装/批号：TO-247/23+ -
APT35GP120B2DQ2G
品牌：Microsemi Corporation 封装/批号：TO-247-3 变式/23+
APT35GP120B2DQ2G 属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：IGBT - 单路
- 系列：POWER MOS 7®
- IGBT 类型：PT
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
- Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.9V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：96A
- 功率 - 最大：543W
- 输入类型：标准型
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3 变式
- 供应商设备封装：T-MAX? [B2]
- 包装：管件
- 其它名称：APT35GP120B2DQ2GMIAPT35GP120B2DQ2GMI-ND