IC元器件

2SK3199 供应商

2SK3199 属性参数

  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):650 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):30W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220F
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包

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