IC元器件

2SJ612-TD-E

MOSFET - 单

2SJ612-TD-E 供应商

2SJ612-TD-E 属性参数

  • 晶体管极性:：P通道
  • 电压, Vds 最大:：-20V
  • 在电阻RDS（上）:：190mohm
  • 电压 @ Rds测量:：-4V
  • 功耗, Pd:：3.5W
  • 封装类型:：SOT-89
  • 针脚数:：3
  • 功耗:：3.5W
  • 漏极电流, Id 最大值:：-2.5A
  • 电压, Vgs 最高:：10V

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