IC元器件

2SB1126-TD-E

双极性晶体管(BJT) - 单

2SB1126-TD-E 供应商

2SB1126-TD-E 属性参数

  • 电压, Vceo:：-50V
  • 功耗, Pd:：500mW
  • 集电极直流电流:：-1.5A
  • 直流电流增益 hFE:：4000
  • 封装类型:：SOT-89
  • 针脚数:：3
  • 截止频率 ft, 典型值:：120MHz

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