IC元器件

2SA1162-GR(T5L,F,T

Transistors Bipolar (BJT)

2SA1162-GR(T5L,F,T 供应商

2SA1162-GR(T5L,F,T 属性参数

  • 制造商:Toshiba
  • 产品种类:Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性:PNP
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:200
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:S-MINI
  • 集电极连续电流:- 150 mA
  • 功率耗散:150 mW