2N6849 属性参数
- 典型关断延迟时间：70 ns
- 典型接通延迟时间：30 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：25 常闭 V @ 15
- 典型输入电容值@Vds：800 pF V @ 25
- 安装类型：通孔
- 宽度：9.4mm
- 封装类型：TO-39
- 尺寸：9.4 x 9.4 x 4.57mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：25 W
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：100 V
- 最大漏源电阻值：0.3
- 最大连续漏极电流：6.5 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：单
- 长度：9.4mm
- 高度：4.57mm