IC元器件

2N6659

MOSFET

2N6659 供应商

2N6659 属性参数

  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:35 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 30 V
  • 漏极连续电流:2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):1.8 Ohms
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-39
  • 封装:Bulk
  • 功率耗散:6.25 W
  • 工厂包装数量:200