2N6055 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Darlington
- 配置：Single
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 集电极—基极电压 VCBO：60 V
- 最大直流电集电极电流：8 A
- 功率耗散：100 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-3
- 封装：Sleeve
- 集电极连续电流：0.45 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：750 at 4 A at 3 V, 100 at 8 A at 3 V
- 最小工作温度：- 65 C
- 工厂包装数量：20
2N6055