2N5629 供应商
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2N5629
品牌：isc/固电半导体 封装/批号：TO-3/2024+
2N5629 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
- 最大直流电集电极电流：16 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：25
- 最大工作频率：1 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-3
- 封装：Sleeve
- 集电极连续电流：0.45 A
- 最小工作温度：- 60 C
- 功率耗散：200 W
- 工厂包装数量：20
2N5629