2N5322 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：75 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
- 最大直流电集电极电流：2 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：30
- 最大工作频率：5 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-39
- 封装：Bulk
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：10000 mW
- 工厂包装数量：500
2N5322