2N5210 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：4.5 V
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：200 at 0.1 mA at 5 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：30 MHz
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 封装：Box
- 集电极连续电流：0.1 A
- 功率耗散：350 mW
- 工厂包装数量：2500
2N5210