2N5109 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：20 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：3 V
- 最大直流电集电极电流：0.4 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：70 at 50 mA at 15 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：1200 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-39
- 封装：Box
- 集电极连续电流：400 mA
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：1 W
- 工厂包装数量：500
2N5109