IC元器件

2N4400

Fairchild Semiconductor Transistors Bipolar (BJT)

2N4400 供应商

2N4400 属性参数

  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
  • 最大直流电集电极电流：0.6 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：50
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92
  • 集电极连续电流：0.6 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：625 mW

2N4400 数据手册

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