2N3583 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：NPN
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：175 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
- 最大直流电集电极电流：1 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：40
- 最大工作频率：10 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Stud
- 封装 / 箱体：TO-66
- 封装：Sleeve
- 集电极连续电流：1 A
- 增益带宽产品fT：10 MHz
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：35 W
- 工厂包装数量：30
2N3583