2N3467 供应商
-
2N3467
品牌：M 封装/批号：CAN/
2N3467 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：40 at 500 mA at 1 V
- 配置：Single
- 最大工作频率：175 MHz
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-39
- 封装：Box
- 集电极连续电流：0.45 A
- 功率耗散：1 W
- 工厂包装数量：500
2N3467