2N2906A 供应商
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2N2906A
品牌：ST/ELNAF 封装/批号：TO-18/1811+
2N2906A 属性参数
- 制造商：Central Semiconductor
- 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
- 晶体管极性：PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 最大直流电集电极电流：0.6 A
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：75
- 最大工作频率：200 MHz
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-18
- 封装：Box
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：4000 mW
- 工厂包装数量：2000
2N2906AUA