IC元器件

2MBI150S-120

IGBT - 阵列, 模块

2MBI150S-120 供应商

2MBI150S-120 属性参数

  • 饱和电压, Vce sat 最大:：2.6V
  • 功耗, Pd:：1kW
  • 电压, Vceo:：1.2kV
  • 上升时间:：600ns
  • 下降时间:：300ns
  • 功率, Pd:：1kW
  • 功耗:：1kW
  • 外宽:：108mm
  • 外部深度:：62mm
  • 外部长度/高度:：30mm
  • 封装类型:：M234
  • 晶体管数:：2
  • 最大连续电流, Ic:：200A
  • 温度 @ 电流测量:：25°C
  • 满功率温度:：25°C
  • 电压, Vces:：1.2kV
  • 电流, Ic @ Vce饱和:：150A
  • 电流, Icm 脉冲:：400A
  • 结温, Tj 最高:：150°C
  • 重量:：0.18kg
  • 隔离电压:：2.5kV

2MBI150S-120 数据手册

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